codice articolo del costruttoreDTD113ZUT106
Produttore / MarcaRohm Semiconductor
quantité disponible197180 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
DTD113ZUT106
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
UMT3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
DTD113ZUT106

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