codice articolo del costruttoreBS2100F-E2
Produttore / MarcaRohm Semiconductor
quantité disponible188060 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DVR IGBT/MOSFET
categoria di prodottoPMIC - Gate driver
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
BS2100F-E2
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Not For New Designs
Configurazione guidata
Half-Bridge
Tipo di canale
Independent
Numero di driver
2
Gate Type
N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura
10 V ~ 18 V
Tensione logica - VIL, VIH
1V, 2.6V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello)
60mA, 130mA
Tipo di input
Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)
600V
Rise / Fall Time (Typ)
200ns, 100ns
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
BS2100F-E2

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