NP82N04NUG-S18-AY Renesas Electronics America Distributore
| codice articolo del costruttore | NP82N04NUG-S18-AY |
|---|---|
| Produttore / Marca | Renesas Electronics America |
| quantité disponible | 131840 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | NP82N04NUG-S18-AY.pdf |
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- Numero di parte
- NP82N04NUG-S18-AY
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 82A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.2 mOhm @ 41A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 160nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 9750pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.8W (Ta), 143W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-262
- Pacchetto / caso
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- NP82N04NUG-S18-AY
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
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| NP82N04NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 |
| NP82N04PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |