NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics America Distributore
| codice articolo del costruttore | NP36P04KDG-E1-AY |
|---|---|
| Produttore / Marca | Renesas Electronics America |
| quantité disponible | 33610 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 40V 36A TO-263 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | NP36P04KDG-E1-AY.pdf |
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- Numero di parte
- NP36P04KDG-E1-AY
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 17 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 55nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2800pF @ 10V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.8W (Ta), 56W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-263
- Pacchetto / caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- NP36P04KDG-E1-AY
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| NP36P04KDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 40V 36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 40V 36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 60V 36A TO-263 |
| NP36P06SLG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 60V 36A TO-252 |