codice articolo del costruttoreNP23N06YDG-E1-AY
Produttore / MarcaRenesas Electronics America
quantité disponible140950 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NP23N06YDG-E1-AY
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta), 60W (Tc)
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSON
Pacchetto / caso
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NP23N06YDG-E1-AY

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Numero di parte fabbricante Descrizione
NP23N06YDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON