codice articolo del costruttoreRFD12N06RLESM9A
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible134890 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 60V 18A DPAK
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
RFD12N06RLESM9A
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
49W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
RFD12N06RLESM9A

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