codice articolo del costruttoreMJD112-1G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible38100 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR NPN DARL 100V 2A IPAK
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MJD112-1G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)
2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max
1.75W
Frequenza - Transizione
25MHz
temperatura di esercizio
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MJD112-1G

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