codice articolo del costruttoreMJ11012G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible150220 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR NPN DARL 60V 30A TO-3
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MJ11012G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)
30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Corrente - Limite del collettore (max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
Potenza - Max
200W
Frequenza - Transizione
4MHz
temperatura di esercizio
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / caso
TO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204 (TO-3)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MJ11012G

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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MJ1002FE-R52 Ohmite Resistor 10K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1003FE-R52 Ohmite Resistor 100K OHM 1/8W 1% AXIAL
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