Référence fabricantMJ11012G
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible150220 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR NPN DARL 60V 30A TO-3
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MJ11012G
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
30A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
Puissance - Max
200W
Fréquence - Transition
4MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Paquet / cas
TO-204AA, TO-3
Package de périphérique fournisseur
TO-204 (TO-3)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MJ11012G

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Numéro d'article Fabricant La description
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MJ1003FE-R52 Ohmite Resistor 100K OHM 1/8W 1% AXIAL
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MJ1021FE-R52 Ohmite Resistor 1.02K OHM 1/8W 1% AXIAL
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