codice articolo del costruttoreA2T18H100-25SR3
Produttore / MarcaNXP USA Inc.
quantité disponible217540 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneFET RF 2CH 65V 1.81GHZ
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - RF
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati A2T18H100-25SR3.pdf

Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo A2T18H100-25SR3 entro 24 ore.

Numero di parte
A2T18H100-25SR3
Stato di produzione (ciclo di vita)
Contact us
Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Frequenza
1.81GHz
Guadagno
18.1dB
Voltaggio - Test
28V
Valutazione attuale
-
Figura di rumore
-
Corrente - Test
230mA
Potenza - Uscita
18W
Tensione - Rated
65V
Pacchetto / caso
NI-780-4S4
Pacchetto dispositivo fornitore
NI-780-4S4
Peso
Contact us
Applicazione
Email for details
Pezzo di ricambio
A2T18H100-25SR3

Componenti correlati realizzati da NXP USA Inc.

Parole chiave correlate per "A2T18"

Numero di parte fabbricante Descrizione
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO