codice articolo del costruttore | APT33GF120LRDQ2G |
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Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
quantité disponible | 104320 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | APT33GF120LRDQ2G.pdf |
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- Numero di parte
- APT33GF120LRDQ2G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo IGBT
- NPT
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 1200V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 64A
- Corrente - Collector Pulsed (Icm)
- 75A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 3V @ 15V, 25A
- Potenza - Max
- 357W
- Cambiare energia
- 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
- Tipo di input
- Standard
- Carica del cancello
- 170nC
- Td (acceso / spento) @ 25 ° C
- 14ns/185ns
- Condizione di test
- 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
- Tempo di recupero inverso (trr)
-
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto / caso
- TO-264-3, TO-264AA
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-264 [L]
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- APT33GF120LRDQ2G
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |