codice articolo del costruttoreMT47R256M4CF-3:H
Produttore / MarcaMicron Technology Inc.
quantité disponible124030 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MT47R256M4CF-3:H
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Discontinued at -
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria
1Gb (256M x 4)
Frequenza di clock
333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
450ps
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.55 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
60-FBGA (8x10)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MT47R256M4CF-3:H

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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MT47R128M8CF-3:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
MT47R64M16HR-25:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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