codice articolo del costruttoreIXTT10N100D2
Produttore / MarcaIXYS
quantité disponible216400 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IXTT10N100D2
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 5V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5320pF @ 25V
Caratteristica FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
695W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268
Pacchetto / caso
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IXTT10N100D2

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