codice articolo del costruttoreIXTP18P10T
Produttore / MarcaIXYS
quantité disponible177960 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET P-CH 100V 18A TO-220
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IXTP18P10T
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (massimo)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / caso
TO-220-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IXTP18P10T

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
IXTA08N100D2HV IXYS MOSFET N-CH
IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263