codice articolo del costruttoreIXT-1-1N100S1
Produttore / MarcaIXYS
quantité disponible137000 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IXT-1-1N100S1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (massimo)
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
temperatura di esercizio
-
Tipo di montaggio
-
Pacchetto dispositivo fornitore
-
Pacchetto / caso
-
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IXT-1-1N100S1

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Numero di parte fabbricante Descrizione
IXT-1-1N100S1 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXT-1-1N100S1-TR IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC