codice articolo del costruttoreSPI12N50C3HKSA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible216880 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SPI12N50C3HKSA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
11.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SPI12N50C3HKSA1

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Numero di parte fabbricante Descrizione
SPI12N50C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
SPI12N50C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262