SISC050N10DX1SA1 Infineon Technologies Distributore
codice articolo del costruttore | SISC050N10DX1SA1 |
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Produttore / Marca | Infineon Technologies |
quantité disponible | 150760 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET N-CHAN SAWED WAFER |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SISC050N10DX1SA1.pdf |
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- Numero di parte
- SISC050N10DX1SA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
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- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
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- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs
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- Vgs (th) (Max) @ Id
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
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- Vgs (massimo)
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- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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- Caratteristica FET
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- Dissipazione di potenza (max)
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- temperatura di esercizio
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- Tipo di montaggio
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- Pacchetto dispositivo fornitore
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- Pacchetto / caso
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- Peso
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- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SISC050N10DX1SA1
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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SISC050N10DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN SAWED WAFER |
SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V |
SISC097N24DX1SA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR P-CH BARE DIE |