Numero di parte

IPZ40N04S55R4ATMA1

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 17µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8

Pacchetto / caso

8-PowerVDFN

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

IPZ40N04S55R4ATMA1