codice articolo del costruttoreIPP65R125C7XKSA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible91900 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 650V 18A TO220
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPP65R125C7XKSA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 400V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
101W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO-220-3
Pacchetto / caso
TO-220-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPP65R125C7XKSA1

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