IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies Distributore
codice articolo del costruttore | IPN60R2K1CEATMA1 |
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Produttore / Marca | Infineon Technologies |
quantité disponible | 125260 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | IPN60R2K1CEATMA1.pdf |
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- Numero di parte
- IPN60R2K1CEATMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.1 Ohm @ 800mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 60µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.7nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 140pF @ 100V
- Caratteristica FET
- Super Junction
- Dissipazione di potenza (max)
- 5W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-SOT223
- Pacchetto / caso
- SOT-223-3
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPN60R2K1CEATMA1
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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