IPI65R280E6XKSA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPI65R280E6XKSA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 156960 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPI65R280E6XKSA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPI65R280E6XKSA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPI65R280E6XKSA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 13.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 280 mOhm @ 4.4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 440µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 950pF @ 100V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 104W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO262-3-1
- Pacchetto / caso
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPI65R280E6XKSA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPI65"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPI65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-262 |
| IPI65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 |
| IPI65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262 |
| IPI65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262 |
| IPI65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 |
| IPI65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 |
| IPI65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 |
| IPI65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262 |
| IPI65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262 |
| IPI65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 |
| IPI65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO262 |