IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPI60R125CPXKSA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 208530 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPI60R125CPXKSA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPI60R125CPXKSA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPI60R125CPXKSA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Not For New Designs
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 125 mOhm @ 16A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 1.1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 70nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2500pF @ 100V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 208W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO262-3
- Pacchetto / caso
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPI60R125CPXKSA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPI60"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPI600N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 |
| IPI60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 |
| IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 |
| IPI60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 |
| IPI60R165CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 |
| IPI60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY |
| IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 |
| IPI60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK |
| IPI60R199CPXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY |
| IPI60R250CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 |
| IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 |
| IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK |