codice articolo del costruttoreIPI50N10S3L16AKSA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible211750 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPI50N10S3L16AKSA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO262-3
Pacchetto / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPI50N10S3L16AKSA1

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Parole chiave correlate per "IPI50N"

Numero di parte fabbricante Descrizione
IPI50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
IPI50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_100+