codice articolo del costruttoreIPG20N06S2L35AATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible55210 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH 8TDSON
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPG20N06S2L35AATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Potenza - Max
65W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-10
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPG20N06S2L35AATMA1

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