IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPD80R1K4CEATMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 64290 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPD80R1K4CEATMA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPD80R1K4CEATMA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPD80R1K4CEATMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3.9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.9V @ 240µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 570pF @ 100V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 63W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO252-3
- Pacchetto / caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPD80R1K4CEATMA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPD80"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 |
| IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
| IPD80N04S306BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
| IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 |
| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 |
| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
| IPD80R1K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 |
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| IPD80R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK |
| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A TO252 |