IPD042P03L3GBTMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPD042P03L3GBTMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 145430 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPD042P03L3GBTMA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPD042P03L3GBTMA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPD042P03L3GBTMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Discontinued at -
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.2 mOhm @ 70A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 270µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 175nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 12400pF @ 15V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 150W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO252-3
- Pacchetto / caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPD042P03L3GBTMA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPD04"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
| IPD042P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| IPD04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| IPD04N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 |