BSP603S2LHUMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | BSP603S2LHUMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 158530 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | BSP603S2LHUMA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo BSP603S2LHUMA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- BSP603S2LHUMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 55V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 5.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 33 mOhm @ 2.6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 50µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 42nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1390pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.8W (Ta)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-SOT223-4
- Pacchetto / caso
- TO-261-4, TO-261AA
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- BSP603S2LHUMA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
.jpg "BTS441TGATMA1")
Parole chiave correlate per "BSP6"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| BSP60,115 | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PNP DARL 45V 1A SOT223 |
| BSP603S2LHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 |
| BSP60E6327HTSA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DARL 45V 1A SOT-223 |
| BSP60H6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DARL 45V 1A SOT223 |
| BSP61,115 | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PNP DARL 60V 1A SOT223 |
| BSP612PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH |
| BSP613P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| BSP613PL6327HUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| BSP615S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 |
| BSP615S2LHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SOT223-4 |
| BSP61E6327HTSA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DARL 60V 1A SOT-223 |