codice articolo del costruttoreBSM75GD120DN2BOSA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible128420 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
BSM75GD120DN2BOSA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Not For New Designs
Tipo IGBT
-
Configurazione
Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)
103A
Potenza - Max
520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max)
1.5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
5.1nF @ 25V
Ingresso
Standard
Termistore NTC
No
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto / caso
Module
Pacchetto dispositivo fornitore
Module
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
BSM75GD120DN2BOSA1

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