codice articolo del costruttoreBSC067N06LS3GATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible159130 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BSC067N06LS3GATMA1.pdf

Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo BSC067N06LS3GATMA1 entro 24 ore.

Numero di parte
BSC067N06LS3GATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
Contact us
Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
15A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 30V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8
Pacchetto / caso
8-PowerTDFN
Peso
Contact us
Applicazione
Email for details
Pezzo di ricambio
BSC067N06LS3GATMA1

Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies

Parole chiave correlate per "BSC067"

Numero di parte fabbricante Descrizione
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8