codice articolo del costruttoreBSB014N04LX3GXUMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible52670 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
BSB014N04LX3GXUMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
36A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
16900pF @ 20V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso
3-WDSON
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
BSB014N04LX3GXUMA1

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Numero di parte fabbricante Descrizione
BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON