Référence fabricantSIZ700DT-T1-GE3
Fabricant / marqueVishay Siliconix
quantité disponible132870 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
SIZ700DT-T1-GE3
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique
Standard
Drain à la tension de source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 10V
Puissance - Max
2.36W, 2.8W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-PowerPair™
Package de périphérique fournisseur
6-PowerPair™
Poids
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Application
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Pièce de rechange
SIZ700DT-T1-GE3

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Numéro d'article Fabricant La description
SIZ700DI-T1-GE3 VISHAY SIZ700DI-T1-GE3 original vishay components
SiZ700DT VISHAY SiZ700DT original vishay components
SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8