Référence fabricantSIS452DN-T1-GE3
Fabricant / marqueVishay Siliconix
quantité disponible179400 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
SIS452DN-T1-GE3
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.25 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 6V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas
PowerPAK® 1212-8
Poids
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Application
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Pièce de rechange
SIS452DN-T1-GE3

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Numéro d'article Fabricant La description
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
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