SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributeur
| Référence fabricant | SI5402BDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 204830 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SI5402BDC-T1-GE3.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour SI5402BDC-T1-GE3 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- SI5402BDC-T1-GE3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 4.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 35 mOhm @ 4.9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 1.3W (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 1206-8 ChipFET™
- Paquet / cas
- 8-SMD, Flat Lead
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SI5402BDC-T1-GE3
Composants connexes fabriqués par Vishay Siliconix
Mots-clés associés pour "SI540"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| SI5401DC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5401DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| SI5401DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| SI5401DCT1E3 | VISHAY | SI5401DCT1E3 original vishay components |
| SI5402BDC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402BDC-T1 | VISHAY | SI5402BDC-T1 original vishay components |
| SI5402BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| SI5402BDC-TI-E3 | VISHAY | SI5402BDC-TI-E3 original vishay components |
| SI5402BDC_08 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402DC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402DC-T1 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |