Référence fabricantTRS8E65C,S1Q
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible65770 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionDIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
catégorie de produitDiodes - Redresseurs - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique TRS8E65C,S1Q.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour TRS8E65C,S1Q Dans les 24 heures.

Numéro d'article
TRS8E65C,S1Q
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
Courant - Rectifié moyen (Io)
8A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si
1.7V @ 8A
La vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr
90µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F
44pF @ 650V, 1MHz
Type de montage
Through Hole
Paquet / cas
TO-220-2
Package de périphérique fournisseur
TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (Max)
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
TRS8E65C,S1Q

Composants connexes fabriqués par Toshiba Semiconductor and Storage

Mots-clés associés pour "TRS8"

Numéro d'article Fabricant La description
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L