TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
Référence fabricant | TK6P53D(T6RSS-Q) |
---|---|
Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 38010 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | TK6P53D(T6RSS-Q).pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour TK6P53D(T6RSS-Q) Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- TK6P53D(T6RSS-Q)
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 525V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.3 Ohm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.4V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 600pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 100W (Tc)
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- D-Pak
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TK6P53D(T6RSS-Q)
Composants connexes fabriqués par Toshiba Semiconductor and Storage
Mots-clés associés pour "TK6P5"
Numéro d'article | Fabricant | La description |
---|---|---|
TK6P53D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 |