Référence fabricantRN1970(TE85L,F)
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible23550 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique RN1970(TE85L,F).pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour RN1970(TE85L,F) Dans les 24 heures.

Numéro d'article
RN1970(TE85L,F)
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur
US6
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
RN1970(TE85L,F)

Composants connexes fabriqués par Toshiba Semiconductor and Storage

Mots-clés associés pour "RN197"

Numéro d'article Fabricant La description
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6