Référence fabricantRN1901FETE85LF
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible199050 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
RN1901FETE85LF
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur
ES6
Poids
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Application
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Pièce de rechange
RN1901FETE85LF

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Numéro d'article Fabricant La description
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RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6
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