RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | RN1705JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 30130 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RN1705JE(TE85L,F).pdf |
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- Numéro d'article
- RN1705JE(TE85L,F)
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de transistor
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 100mA
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 2.2 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 47 kOhms
- Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 10mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Courant - Coupure du collecteur (Max)
- 100nA (ICBO)
- Fréquence - Transition
- 250MHz
- Puissance - Max
- 100mW
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- SOT-553
- Package de périphérique fournisseur
- ESV
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RN1705JE(TE85L,F)
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| RN1702JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| RN1704JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| RN1705JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| RN1706JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |