Référence fabricantRN1705JE(TE85L,F)
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible30130 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
RN1705JE(TE85L,F)
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SOT-553
Package de périphérique fournisseur
ESV
Poids
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Application
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Pièce de rechange
RN1705JE(TE85L,F)

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