Référence fabricantRN1101ACT(TPL3)
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible165380 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
RN1101ACT(TPL3)
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de transistor
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
80mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SC-101, SOT-883
Package de périphérique fournisseur
CST3
Poids
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Application
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Pièce de rechange
RN1101ACT(TPL3)

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Numéro d'article Fabricant La description
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RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
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