DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | DF10G6M4N,LF |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 202570 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN |
| catégorie de produit | TVS - Diodes |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | DF10G6M4N,LF.pdf |
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- Numéro d'article
- DF10G6M4N,LF
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type
- Zener
- Canaux unidirectionnels
-
- Canaux bidirectionnels
- 4
- Tension - Inverser l'écart (Typ)
- 5.5V (Max)
- Tension - Panne (Min)
- 5.6V
- Tension - Serrage (Max) @ Ipp
- 25V
- Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs)
- 2A (8/20µs)
- Puissance - Impulsion de crête
- 30W
- Protection de ligne électrique
- No
- Applications
- General Purpose
- Capacité @ Fréquence
- 0.2pF @ 1MHz
- Température de fonctionnement
-
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 10-UFDFN
- Package de périphérique fournisseur
- 10-DFN (2.5x1)
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- DF10G6M4N,LF
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Mots-clés associés pour "DF10"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| DF10 | FAIRCHILD | 1.5 Ampere Bridge Rectifiers IC |
| DF10-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF |
| DF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A |
| DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 |
| DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
| DF101S | VISHAY | DF101S original vishay components |
| DF10G5M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN |
| DF10G6M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN |
| DF10G7M1N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5V 12V 10DFN |
| DF10M | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M |
| DF10M-E3 | VISHAY | DF10M-E3 original vishay components |