Référence fabricantTSM015NA03CR RLG
Fabricant / marqueTaiwan Semiconductor Corporation
quantité disponible60220 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
TSM015NA03CR RLG
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
205A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4243pF @ 15V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
8-PDFN (5x6)
Paquet / cas
8-PowerTDFN
Poids
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Application
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Pièce de rechange
TSM015NA03CR RLG

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Numéro d'article Fabricant La description
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN