Référence fabricantGPAS1002 MNG
Fabricant / marqueTaiwan Semiconductor Corporation
quantité disponible73580 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionDIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
catégorie de produitDiodes - Redresseurs - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
GPAS1002 MNG
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de diode
Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Courant - Rectifié moyen (Io)
10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si
1.1V @ 10A
La vitesse
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse @ Vr
5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur
TO-263AB (D²PAK)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Poids
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Application
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Pièce de rechange
GPAS1002 MNG

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Numéro d'article Fabricant La description
GPAS1001 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
GPAS1002 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
GPAS1003 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
GPAS1004 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
GPAS1005 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
GPAS1006 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
GPAS1007 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 10A TO263AB