RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | RQ3E130BNTB |
|---|---|
| Fabricant / marque | Rohm Semiconductor |
| quantité disponible | 162660 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RQ3E130BNTB.pdf |
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- Numéro d'article
- RQ3E130BNTB
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 13A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6 mOhm @ 13A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 36nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1900pF @ 15V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 2W (Ta)
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 8-HSMT (3.2x3)
- Paquet / cas
- 8-PowerVDFN
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RQ3E130BNTB
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
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| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
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| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
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| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |