RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | RD3S075CNTL1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Rohm Semiconductor |
| quantité disponible | 211690 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | NCH 190V 7.5A POWER MOSFET |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RD3S075CNTL1.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour RD3S075CNTL1 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- RD3S075CNTL1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 190V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 7.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 336 mOhm @ 3.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1100pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 52W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- TO-252
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RD3S075CNTL1
Composants connexes fabriqués par Rohm Semiconductor
.jpg "KTR18EZPF5492")
Mots-clés associés pour "RD3S"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| RD3S075CNTL1 | Rohm Semiconductor | NCH 190V 7.5A POWER MOSFET |
| RD3S100CNTL1 | Rohm Semiconductor | NCH 190V 10A POWER MOSFET |