Référence fabricantMSM5117400F-60T3DR1
Fabricant / marqueRohm Semiconductor
quantité disponible42550 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 16M PARALLEL
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MSM5117400F-60T3DR1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
DRAM
Taille mémoire
16Mb (4M x 4)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
110ns
Temps d'accès
30ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MSM5117400F-60T3DR1

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