Référence fabricantNDBA180N10BT4H
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible181880 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 100V 180A DPAK
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique NDBA180N10BT4H.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour NDBA180N10BT4H Dans les 24 heures.

Numéro d'article
NDBA180N10BT4H
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
180A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6950pF @ 50V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
D²PAK (TO-263)
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
NDBA180N10BT4H

Composants connexes fabriqués par ON Semiconductor

Mots-clés associés pour "NDBA"

Numéro d'article Fabricant La description
NDBA100N10BT4H ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
NDBA170N06AT4H ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
NDBA180N10BT4H ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 180A DPAK