HGTP10N120BN ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | HGTP10N120BN |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 196610 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | HGTP10N120BN.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour HGTP10N120BN Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- HGTP10N120BN
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Not For New Designs
- Type d'IGBT
- NPT
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1200V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 35A
- Courant - Collecteur pulsé (Icm)
- 80A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Puissance - Max
- 298W
- Échange d'énergie
- 320µJ (on), 800µJ (off)
- Type d'entrée
- Standard
- Charge de porte
- 100nC
- Td (marche / arrêt) à 25 ° C
- 23ns/165ns
- Condition de test
- 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
- Temps de récupération inverse (trr)
-
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Paquet / cas
- TO-220-3
- Package de périphérique fournisseur
- TO-220AB
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- HGTP10N120BN
Composants connexes fabriqués par ON Semiconductor
,TO-226_bentlead.jpg "MCR22-6RLRPG")
Mots-clés associés pour "HGTP"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| HGTP10N40C1 | INTERSIL | 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs IC |
| HGTP10N40C1D | INTERSIL | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes IC |
| HGTP10N40E1 | INTERSIL | 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs IC |
| HGTP10N40E1D | INTERSIL | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes IC |
| HGTP10N40EID | HARRIS | HGTP10N40EID HARRIS IC ORIGINAL |
| HGTP10N40F1D | INTERSIL | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes IC |
| HGTP10N40FID | FAIRCHILD | HGTP10N40FID FAIRCHILD IC TO--220 |
| HGTP10N50C1 | INTERSIL | 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs IC |
| HGTP10N50C1D | INTERSIL | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes IC |
| HGTP10N50E1 | INTERSIL | 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs IC |
| HGTP10N50E1D | INTERSIL | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes IC |