PHT4NQ10LT,135 NXP USA Inc. Distributeur
| Référence fabricant | PHT4NQ10LT,135 |
|---|---|
| Fabricant / marque | NXP USA Inc. |
| quantité disponible | 131440 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | PHT4NQ10LT,135.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour PHT4NQ10LT,135 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- PHT4NQ10LT,135
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 3.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 250 mOhm @ 1.75A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 12.2nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 374pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 6.9W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- SOT-223
- Paquet / cas
- TO-261-4, TO-261AA
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- PHT4NQ10LT,135
Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.
Mots-clés associés pour "PHT4"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| PHT4NQ10LT,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73 |
| PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 |