Référence fabricantA2T27S007NT1
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible36600 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique A2T27S007NT1.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour A2T27S007NT1 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
A2T27S007NT1
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
LDMOS
La fréquence
728MHz ~ 3.6GHz
Gain
-
Tension - Test
-
Note actuelle
-
Figure de bruit
-
Actuel - Test
-
Puissance - Sortie
28.8dBm
Tension - Rated
28V
Paquet / cas
16-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur
16-DFN (6x4)
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
A2T27S007NT1

Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.

Mots-clés associés pour "A2T2"

Numéro d'article Fabricant La description
A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T20H330W24NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS