Référence fabricantA2T18S165-12SR3
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible181260 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique A2T18S165-12SR3.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour A2T18S165-12SR3 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
A2T18S165-12SR3
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
LDMOS
La fréquence
1.805GHz ~ 1.995GHz
Gain
18dB
Tension - Test
28V
Note actuelle
10µA
Figure de bruit
-
Actuel - Test
800mA
Puissance - Sortie
148W
Tension - Rated
65V
Paquet / cas
NI-780S-2L2L
Package de périphérique fournisseur
NI-780S-2L2L
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
A2T18S165-12SR3

Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.

Mots-clés associés pour "A2T18"

Numéro d'article Fabricant La description
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO